SRAM芯片is62wv51216

发布时间:2020-3-17 14:57    发布者:英尚微电子
关键词: SRAM芯片 , is62wv51216 , SRAM , ISSI代理
ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM,组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术,可生产出高性能和低功耗的设备。

当CS1为HIGH(取消选择)或CS2为LOW(取消选择)或CS1为LOW,CS2为HIGH且LB和UB均为HIGH时,器件将处于待机模式,在该模式下,可通过CMOS输入降低功耗水平。

使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable(WE)控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节(UB)和低字节(LB)。

IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL封装在JEDEC标准的48引脚迷你BGA(7.2mmx8.7mm)和44引脚TSOP(TYPE II)中。英尚微电子亲自授权为ISSI代理,为各行业领域提供各种SRAM芯片,保持长期供货,完成客户各方面的需求.
欢迎分享本文,转载请保留出处:http://www.avcvq.com/thread-579196-1-1.html     【打印本页】
英尚微电子 发表于 2020-3-17 14:58:30
当CS1为HIGH(取消选择)或CS2为LOW(取消选择)或CS1为LOW,CS2为HIGH且LB和UB均为HIGH时,器件将处于待机模式,在该模式下,可通过CMOS输入降低功耗水平。
英尚微电子 发表于 2020-3-17 14:59:07
使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable(WE)控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节(UB)和低字节(LB)。
英尚微电子 发表于 2020-3-17 14:57:59
ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM,组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术,可生产出高性能和低功耗的设备。
英尚微电子 发表于 2020-3-17 14:57:59
ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM,组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术,可生产出高性能和低功耗的设备。
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

相关视频

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表
澳洲幸运8 飞速赛车平台 全球彩票注册 上海时时乐 吉林快3 秒速时时彩 千禧彩票是真的吗 秒速快3 山东十一运夺金 澳洲幸运10开奖结果