Vishay推出高效80 V MOSFET,导通电阻与栅极电荷乘积即优值系数达到同类产品最佳水平

发布时间:2020年02月11日 10:02    发布者:eechina
关键词: MOSFET , SiR680ADP , TrenchFET , n沟道
器件采用PowerPAK SO-8单体封装,导通电阻降至2.35 m,栅极电荷为55 nC,COSS为614 pF

Vishay推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8单体封装的---SiR680ADP,它是80 V TrenchFET 第四代n沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP专门用来提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率,从而节省能源,其导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数(FOM)为129 m*nC,达到同类产品最佳水平。

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日前发布的器件10 V条件下导通电阻典型值降至2.35 mΩ,超低栅极电荷仅为55 nC,COSS为614 pF。这些改进后的技术规格,经过调校最大限度降低开关、通道导通和二极管导通功耗,从而提高能效。这款MOSFET的导通电阻与栅极电荷乘积优值系数(FOM)比紧随其后的竞争产品低12.2 %,比前代器件低22.5 %,使其成为典型48 V输入,12 V输出DC/DC转换器最高效的解决方案。

SiR680ADP可作为模块用于各种DC/DC和AC/DC转换应用,如同步整流、原边开关、降压-升压转换器,谐振回路开关转换器以及系统OR-ing功能,适用于电信和数据中心服务器电源、太阳能微型逆变器、电动工具和工业设备电机驱动控制、电池管理模块的电池切换。

新款MOSFET经过100 % RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

SiR680ADP现可提供样品并已实现量产,供货周期为12周。

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